RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
71
94
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
71
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
1767
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link