RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
94
Autour de -292% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.6
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
24
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2130
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link