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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Raisons de considérer
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
94
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
47
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2308
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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