RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
94
Autour de -292% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
24
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2879
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link