RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparez
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Note globale
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de -13% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
2256
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link