RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparez
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Note globale
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Note globale
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
52
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
52
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
2306
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link