RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
3310
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link