RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Confronto
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
30
Velocità di lettura, GB/s
14.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2330
3310
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Confronto tra le RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link