RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
2470
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link