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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,343.1
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
49
Autour de -75% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
28
Vitesse de lecture, GB/s
5,135.8
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,343.1
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
843
3693
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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