RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Comparez
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3019
3714
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link