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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
49
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3026
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CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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