RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3026
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link