RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Comparez
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3019
3857
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link