RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
56
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.5
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
44
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
1660
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link