RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
56
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.5
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
44
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
8.5
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
1660
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link