RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
44
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
8.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link