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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
44
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
8.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
44
Velocità di lettura, GB/s
16.0
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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