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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
56
Autour de -22% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
46
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
2936
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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