RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
56
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2936
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link