RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
62
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
62
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
1808
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link