RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
52
Autour de -63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3137
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link