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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3437
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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