RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
52
Autour de -148% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
21
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3034
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link