RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
52
Autour de -68% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3414
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link