RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3114
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link