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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.7
16.0
写入速度,GB/s
7.5
13.5
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3114
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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