RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3519
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link