RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2841
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link