RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
52
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
52
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
2390
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link