RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
52
Autour de -8% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
4200
Autour de 6.1 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
48
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
25600
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3047
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link