A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 10
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    30 left arrow 52
    Autour de -73% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.5 left arrow 1,145.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 4200
    Autour de 4.05 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    52 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,614.5 left arrow 10.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,145.9 left arrow 8.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    409 left arrow 2234
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons