RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
52
Autour de -73% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2266
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link