RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
77
Autour de -250% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3430
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link