RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
77
Около -250% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3430
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link