RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
52
Autour de -68% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2361
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link