RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2361
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link