RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
72
Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
72
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
1817
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link