RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Comparez
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Note globale
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
56
Autour de 34% latence réduite
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
56
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2581
2455
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link