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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
56
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
56
读取速度,GB/s
15.4
20.1
写入速度,GB/s
9.2
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2455
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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