RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de -144% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3711
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Comparaison des RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link