RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
64
Autour de -205% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
21
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3380
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link