RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
64
Por volta de -205% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
14.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
3380
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link