RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
66
Autour de -120% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3373
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link