RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
54
Autour de -184% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3801
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link