RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
54
Por volta de -184% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
19
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
3801
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link