RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
66
Autour de -187% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2631
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link