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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Comparez
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
50
Autour de -117% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2512
2938
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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