RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
50
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
10.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
23
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
12.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
2938
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Relatar um erro
×
Bug description
Source link