Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Różnice

  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 17000
    Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    23 left arrow 50
    Wokół strony -117% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17 left arrow 15.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.9 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    50 left arrow 23
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.3 left arrow 17.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.9 left arrow 12.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2512 left arrow 2938
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania